Original
HAFNIUM SPUTTERTARGETS
Hafnium-basierte Dünnschichten aus Haohai Hafnium (Hf) Ziel, Sputtern hergestellt werden als Isolator in den neueren Generationen von Halbleitern verwendet. Die dünne Folie verhindert Kupfer Diffusion in Silizium. Amorphe Hafnium Oxid hat eine hohe Dielektrizitätskonstante, es ermöglicht die Reduzierung der Tor-Leckage aktuelle und verbessert die Leistung der Elektronik.
Unsere Hafnium Sputtertarget besteht aus raffinierten Kristallbar sorgt für niedrige Zirkonium Inhalte, hohe Reinheit und hohe Zuverlässigkeit.
HaohaiHafnium (Hf)Sputtertargets gehörenHafniumplanare Sputtertargets.
Hafnium Planar (Rechteck, Rundschreiben) Sputtertargets
Fertigungsprogramm
Rechteck |
Länge (mm) |
Breite (mm) |
Dicke (mm) |
Custom Made |
10 - 1500 |
10 - 400 |
5.0 - 40 |
||
Kreisförmige |
Durchmesser (mm) |
Dicke (mm) |
||
5.0 - 400 |
5.0 - 40 |
Spezifikation
Zusammensetzung |
HF |
Reinheit |
3N5 (99,95 %) |
Dichte |
13,31 g/cm3 |
Korngrößen |
Andlt; 150 µm oder auf Anfrage |
Fertigungsprozesse |
Vakuum-schmelzen,Bearbeitung |
Form |
Monolithische Platte, mehreren Segmenten Ziel |
Typen |
Platte, Scheibe, Schritt nach unten verschrauben, Threading, Custom Made |
Oberfläche |
RA 1.6 Mikrometer |
Andere Spezifikationen
✦Ebenheit, saubere glatte Oberfläche, poliert, frei von Riss, Öl, Punkt.
✦Ausgezeichnete Kommunikationselektronik, kleinen linearen Ausdehnungskoeffizienten und gute Hitzebeständigkeit.
Für unsere Hafnium Sputtertargets
Toleranz
ACC, Zeichnungen oder auf Anfrage.
Verunreinigungen Inhalt [ppm]
Hafnium Inhalt [ppm] |
HF |
|
Reinheit [%] |
99.95 |
|
Metallische Verunreinigungen [ppm] |
Al |
25 |
B |
0.5 |
|
BI |
1 |
|
CD |
2.5 |
|
CR |
30 |
|
Co |
5 |
|
Fe |
95 |
|
Mg |
2 |
|
MN |
20 |
|
Mo |
10 |
|
NB |
50 |
|
NI |
25 |
|
Si |
25 |
|
TI |
20 |
|
W |
20 |
|
ZR |
5 |
|
Nichtmetallischen Verunreinigungen [ppm] |
C |
20 |
N |
5 |
|
O |
50 |
|
P |
10 |
|
Garantiert Dichte [g/cm3] |
13.3 |
|
Korngröße [μm] |
150 |
Anwendung
✦ Verschleißfeste Beschichtung
✦
